欧姆接触 - 道客巴巴

　　欧姆接触 (知识摘自) 是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线 (I-V curve) 的区域.如果电流-电压特性曲线不是线性的这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片这些金属片通过光刻制程布局.低电阻稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级Fermi level或者严格意义上化学势必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函。 接触金属和半导体具有不同的功函分别记为 φM和 φ...

　　欧姆接触 (知识摘自) 是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线 (I-V curve) 的区域.如果电流-电压特性曲线不是线性的这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片这些金属片通过光刻制程布局.低电阻稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 理论 任何两种相接触的固体的费米能级Fermi level或者严格意义上化学势必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函。 接触金属和半导体具有不同的功函分别记为 M和 S。 当两种材料相接触时电子将会从低功函(高 Fermi level)一边流向另一边直到费米能级相平衡。从而低功函(高 Fermi level)的材料将带有少量正电荷而高功函(低 Fermi level)材料则会变得具有少量电负性。最终得到的静电势称为内建场记为 Vbi。这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。 内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。 明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的 屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。

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